Micron investiert 24 Milliarden US-Dollar in neue Speicherchip-Fab in Singapur

NAND-Flash Micron investiert 24 Milliarden US-Dollar in neue Speicherchip-Fab in Singapur

27.01.2026 Von Sebastian Gerstl 1 min Lesedauer

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GLYN GmbH & Co. KG

Shanghai Yongming Electronic Co., Ltd.

Der US-Speicherhersteller Micron baut seine Fertigungskapazitäten in auch in Asien deutlich aus. Eine neue Fab in Singapur soll ab 2028 zusätzliche NAND-Kapazitäten liefern.

Aufnahme von Microns "Site 3" in Singapur, an dem NAND-Flash-Speicher gefertigt werden. Der Speicherhersteller plant, weitere 24 Milliarden US-Dollar in den Aufbau einer zusätzlichen Fab in Südostasien zu investieren. Bis 2028 soll die neue Anlage ihren Betrieb aufnehmen.(Bild: Micron) — Aufnahme von Microns "Site 3" in Singapur, an dem NAND-Flash-Speicher gefertigt werden. Der Speicherhersteller plant, weitere 24 Milliarden US-Dollar in den Aufbau einer zusätzlichen Fab in Südostasien zu investieren. Bis 2028 soll die neue Anlage ihren Betrieb aufnehmen.
(Bild: Micron)

Der US-Speicherhersteller Micron Technology plant den Bau einer weiteren Waferfertigung in Singapur. Über einen Zeitraum von zehn Jahren sollen rund 24 Milliarden US-Dollar (circa 20 Milliarden Euro) investiert werden. Die Anlage entsteht innerhalb des bestehenden lokalen NAND-Fertigungsclusters des Unternehmens.

Mit der neuen Fab reagiert Micron auf die weiterhin hohe Nachfrage nach Speicherbausteinen. Insbesondere Anwendungen in Rechenzentren, KI-Beschleunigern und datenintensiven Systemen treiben den Bedarf an NAND-Flash und Hochleistungsspeicher. Branchenanalysten erwarten, dass die derzeitige Angebotsknappheit mindestens bis 2027 anhält.

Die Produktion soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2028 anlaufen. Geplant sind rund 700.000 Quadratfuß (circa 650.000 m²) Reinraumfläche. Die Fabrik ist als zweigeschossige Anlage ausgelegt, ein Novum für die Waferfertigung in Singapur.

Adressierung des anhaltend hohen Speicherbedarfs

Micron fertigt bereits heute den überwiegenden Teil seiner Flash-Speicher in Singapur. Parallel entsteht dort eine separate Anlage für Advanced Packaging von High-Bandwidth-Memory, die 2027 in Betrieb gehen soll. Beide Investitionen sind räumlich und organisatorisch eng miteinander verknüpft.

Durch die Kombination von NAND-Fertigung, DRAM-Kompetenz und HBM-Packaging verspricht sich das Unternehmen operative Synergien. Gleichzeitig behält Micron nach eigenen Angaben Flexibilität beim Hochfahren der Kapazitäten, um auf Marktschwankungen reagieren zu können.

Der Ausbau ist Teil eines globalen Investitionsprogramms. Neben Singapur prüft Micron weitere Optionen zur Kapazitätserweiterung. Erst kürzlich verkündete das Unternehmen den Spatenstisch zu seiner 100 Mrd. US-Dollar schweren Gigafab im US-Bundesstaat New York. Hinzu kommen Pläne hinsichtlich einer Übernahme einer bestehenden Fab des Unternehmens PSMC in Taiwan, um den gegenwärtigen Bedarf an DRAM-Speichern zu adressieren. Auch Wettbewerber wie Samsung und SK Hynix beschleunigen derzeit ihre Ausbaupläne.

Für den Standort Singapur bedeutet das Projekt einen deutlichen Beschäftigungseffekt. Insgesamt sollen rund 3.000 neue Stellen entstehen, vor allem in Fertigungsbetrieb, Prozessintegration und Engineering. Die neue Fab soll zudem aktuelle Standards in Energieeffizienz, Wasseraufbereitung und Emissionsreduktion erfüllen.(sg)

Micron-Standort im taiwanesischen Taichung. Im Rahmen einer strategischen Partnerschaft mit PSMC will der Speicherhersteller das Werk des Foundry-Anbieters in Tongluo übernehmen. Ziel ist, den gesteigerten Bedarf an DRAM-Speichern im Markt zu adressieren. (Bild: Micron)

Der Cheongju-Campus von SK Hynix. Der Speicherhersteller investiert umgerechnet 11 Mrd. Euro in den Ausbau seiner Highend-Chip-Packaging-Anlagen in Südkorea. Bereits Ende 2027 sollen die neuen Werke ihren Betrieb aufnehmen (Bild: SK Hynix)

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Stand: 08.12.2025

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