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Konkurrenz für HBM? Intel zeigt erstmals Prototyp von Z-Angle Memory (ZAM)

Von Sebastian Gerstl 2 min Lesedauer

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Intel Deutschland GmbH

Auf der Intel Connection Japan 2026 hat Intel erstmals konkrete Daten und Architekturdetails zu Z-Angle Memory (ZAM) präsentiert. Der neue Speichertyp soll HBM in puncto Energieeffizienz, Thermik und Dichte deutlich übertreffen.

Dr. Joshua Fryman, Intel Fellow und CTO der Intel Government Technologies (Mitte), stellte zusammen mit Vertretern der Softbank-Tochter Saimemory den ersten Prototypen des neuartigen ZAM-Speichers auf der Intel-Hausmesse Intel Connection 2026 in Japan vor.(Bild: Intel Japan)
Dr. Joshua Fryman, Intel Fellow und CTO der Intel Government Technologies (Mitte), stellte zusammen mit Vertretern der Softbank-Tochter Saimemory den ersten Prototypen des neuartigen ZAM-Speichers auf der Intel-Hausmesse Intel Connection 2026 in Japan vor.
(Bild: Intel Japan)

Auf der Veranstaltung Intel Connection Japan hat Intel erstmals einen Prototyp seines neuen Speichertyps Z-Angle Memory (ZAM) öffentlich vorgestellt. Das Projekt entsteht gemeinsam mit der SoftBank-Tochter SAImemory und zielt auf eine Alternative zu High Bandwidth Memory (HBM) für KI- und Rechenzentrumsanwendungen.

Im Mittelpunkt steht die neuartige, sogenannte Z-Angle-Architektur. Statt klassischer vertikaler TSV-Verbindungen werden die Interconnects diagonal durch den gestapelten Die-Stack geführt. Diese Struktur soll Signalwege verkürzen, elektrische Widerstände reduzieren und vor allem die Wärmeabfuhr verbessern.

Architektur mit Fokus auf Thermik und Effizienz

Nach Angaben der beteiligten Unternehmen ermöglicht das schräge Routing der Kupfer-Interconnects einen durchgängigen thermischen Kern innerhalb des Stapels. Durch den Verzicht auf ein zentrales TSV-Feld kann der massive Siliziumkern als vertikaler Heatspreader wirken. Das reduziert Leckströme und erlaubt niedrigere Betriebsspannungen.

Als weitere technische Basis dient Intels Next Generation DRAM Bonding (NGDB) mit Hybrid-Copper-to-Copper-Bonding. Lötbumps entfallen, die Dies werden quasi monolithisch verbunden. Für die Anbindung an KI-Beschleuniger ist zudem der Einsatz von EMIB vorgesehen, um energieeffiziente Hochgeschwindigkeitsverbindungen zwischen Logik und Speicher zu ermöglichen.

Im direkten Vergleich mit HBM stellt ZAM laut Präsentation folgende Zielwerte in Aussicht: 40 bis 50 Prozent geringerer Energieverbrauch, eine bis zu zwei- bis dreifach höhere Speicherdichte sowie Kapazitäten von bis zu 512 GB pro Chip. Gleichzeitig soll die Fertigung durch die Z-Angle-Interconnects vereinfacht werden.

Intel übernimmt nach eigenen Angaben vor allem Initialinvestitionen und strategische Steuerung. Weitere Partner sind neben SAImemory unter anderem Fujitsu sowie Fertigungsspezialisten wie Shinko Electric Industries und Powerchip Semiconductor. Das Gesamtprojektvolumen wird auf rund 70 Millionen US-Dollar beziffert.

Konkrete Leistungsdemonstratoren wurden auf dem Event noch nicht gezeigt. Der aktuelle Prototyp dient primär zur Validierung des Architekturansatzes und zur Gewinnung weiterer Industriepartner. Der offizielle Projektzeitplan sieht erste funktionsfähige Prototypen ab 2027 vor, eine Kommerzialisierung ist für 2030 angepeilt.


ZAM bleibt damit vorerst noch ein ambitionierter Architekturentwurf, mit dem sich aber Intel klar gegen HBM und die in diesem Segment starken Hersteller wie Micron, Samsung oder Sk hynix positionieren möchte. Sollte sich das thermische Konzept in der Praxis bestätigen, könnte Z-Angle Memory insbesondere für hochintegrierte KI-Systeme mit strikten Energie- und Kühlbudgets relevant werden.(sg)

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