Power-Modul Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumkarbid

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EBV Elektronik GmbH & Co. KG

ROHM Semiconductor GmbH

MEV Elektronik Service GmbH

Cree Europe GmbH

Dieses All-SiC-Power-Modul besteht aus SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Dioden in einer Halbbrücken-Schaltung mit 50 mm. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150° C. Mit seinen SiC-Komponenten eignet sich das Modul für extrem hohe Schaltfrequenzen. Dadurch ist es möglich, die Größe, das Gewicht und die Kosten von Energieumwandlungssystemen zu minimieren. Das Power-Modul ist bereits in Anwendungen mit Schaltfrequenzen von 100 kHz betrieben worden. Zu den typischen Einsatzgebieten zählen unter anderem Hochleistungswandler, industrielle Antriebssysteme, Solarwechselrichter sowie unterbrechnungsfreie Stromversorgungen. Die Komponente für Sperrspannungen bis 1200 V und Ströme bis 100 A ergänzt die aktuellen Power-Produktlinien des Herstellers bestehend aus MOSFETS und Dioden um eine Modul für High-Power-Anwendungen. Laut Hersteller Cree ist dieses Power-Modul das industrieweit erste kommerziell verfügbare Leistungsmodul, das komplett aus Siliziumkarbid (SiC) gefertigt ist. Durch den Einsatz von SiC-basierten Bausteinen konnte laut Cree der weltweite CO2-Ausstoß bereits um 1 Million Tonnen reduziert werden. Das Unternehmen verfügt über jahrelange Erfahrung in der Herstellung und Verarbeitung von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrit (GaN). Das All-SiC-Power-Modul ist über die Distributoren Digi-Key und Mouser (CAS100H12AMI) erhältlich. Den Kunden seiner Power-Module stellt Cree auch Muster von Gate-Treiberbausteinen zur Verfügung. Mit diesem Bauteil unterstreicht Cree die Leistungsfähigkeit seiner SiC-Halbleiter.

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