Schutz/Filter-Kombination ESD- und Störschutz in einem Gehäuse

STMicroelectronics hat bei den Bausteinen EMIF01-1003M3 und EMIF02-1003M6 ein Störschutz-Filter und den Schutz vor elektrostatischen Entladungen in einem Gehäuse mit einer Fläche von

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STMicroelectronics hat bei den Bausteinen EMIF01-1003M3 und EMIF02-1003M6 ein Störschutz-Filter und den Schutz vor elektrostatischen Entladungen in einem Gehäuse mit einer Fläche von 0,6 mm² kombiniert. Sie schützen vor Luft-Entladungen bis 15 kV und Kontakt-Entladungen bis 8 kV. Der Leckstrom wird mit 100 nA, der Serienwiderstand mit 100 Ohm und die Klemmspannung mit 9 bzw. 17 V angegeben.

Die Bauelemente entsprechen der Norm IEC61000-4-2 Level 4 für den ESD-Schutz und tragen durch die Kapazität zwischen Leitung und Masse von 30 pF zur Signalintegrität bei. Die Filtercharakteristik ermöglicht eine starke Dämpfung im GSM-Band.

Der für eine Leitung ausgelegte EMIF01-1003M3 ist in einem 0,6 mm hohen SOT883-Gehäuse mit einem Footprint von 1,0 mm x 0,6 mm untergebracht. Der zweikanalige Baustein EMIF02-1003M6 besitzt ein 1,0 mm x 1,45 mm großes und 0,55 mm hohes Micro QFN-Gehäuse mit sechs Anschlüssen und soll 45%, der EMIF01-1003M3 55% kleiner als konkurrierende Schutz/Filter-Kombinationen sein.

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