NXP Erster MOSFET mit On-Widerstand unter 1 mΩ im Power-SO8-Gehäuse

Unter der Bezeichnung PSMN1R2-25YL bietet NXP Semiconductors den weltweit ersten 25-V-N-Kanal-MOSFET mit einem RDS(on) von unter 1 mΩ an. Der Baustein habe zugleich den branchenbesten Gütefaktor.

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Ein neues Power-SO8-LFPAK-Gehäuse von NXP ist zu sämtlichen allgemein akzeptierten Leiterplatten-Footprints von Power-SO8-Gehäusen kompatibel. Der zur neuesten MOSFET-Generation gehörende Baustein ergänzt das bestehende MOSFET-Sortiment von NXP und kombiniert das Power-SO8-Gehäuse (Loss Free Package, LFPAK) mit aktueller Halbleitertechnik der Trench-6-Generation.

Der Chip eignet sich durch seine diversen Vorteile hinsichtlich Leistung und Zuverlässigkeit für eine Vielzahl von Applikationen, wie Motorregelungen und hocheffiziente synchrone Abwärts-Schaltregler.

„Im Bereich der MOSFET-Produktionstechnologien gibt es einen immerwährenden Leistungswettlauf“, sagt John David Hughes, Senior International Product Marketing Manager bei NXP, „wir setzen deshalb bei unserem neuen Trench-6-Prozess auf innovative Techniken, die den On-Widerstand weiter senken.

Verbesserte Schaltfunktion

Für unsere Kunden bringt die neue Trench-Technologie eine ganze Reihe von Vorteilen, zu denen neben der höheren Schalt-Effizienz des Halbleiters auch die herausragenden elektrischen und thermischen Widerstandseigenschaften des Gehäuses gehören. Das neue Power-SO8-LFPAK-Gehäuse von NXP ist zu sämtlichen allgemein akzeptierten Leiterplatten-Footprints von Power-SO8-Gehäusen kompatibel.“

Der Trench-6-MOSFET-Baustein PSMN1R2–25YL bietet einen typischen RDS(on) von 0,9 mW für die 25-V-Version im Power-SO8-Gehäuse (LFPAK) bzw. 1,0 mW typisch für die 30-V-Version. Parallel zur Einführung dieses MOSFET kündigt NXP ein neues Produktsortiment an, das auf die Anwendungsbereiche Industrie, Stromversorgung und Bewegungssteuerung zielt. Zu dieser Produktpalette gehören Bauelemente mit Betriebsspannungen von 25, 30, 40 und 80 V in den Gehäusetypen Power-SO8 (LFPAK) und TO220.

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