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Höhere Genauigkeit durch Messungen und Kalibrierung

Elektrothermische Vollschaltkreis-Modellierung in 3D

Die thermische 3D-Simulation von Schaltkreisen beachtet oft nur die Verlustleistung im Halbleiter. Warum für eine präzise Modellierung von Hochstrom-Leistungsmodulen auch die Verluste im Versorgungsnetzwerk wichtig sind, zeigt Ihnen das Whitepaper.

Bei einer typischen 3D-Simulation der Kühlung eines elektronischen Systems wird oft davon ausgegangen, dass die gesamte Energie des Systems an die Halbleiterkomponenten abgegeben wird. Bei Produkten mit Hochstrom-Leistungsmodulen ist jedoch auch die Verlustleistung im elektrischen Energieversorgungsnetzwerk ein wichtiger Faktor.

So kann sich die Verlustleistung in den Kupferbahnen und Verbindungen in einem Bereich von 30 Prozent der gesamten Eingangsleistung bewegen. Deshalb ist es wichtig, diesen Erwärmungseffekt in der Simulation zu berücksichtigen, um bei einer komplexen Elektronik mit einer hohen Leistungsdichte präzise Vorhersagen treffen zu können.

Im Whitepaper erfahren Sie am Beispiel eines Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT),
  • welche Faktoren für die Genauigkeit bei der Modellierung des Wärmeverlustes in einer thermischen 3D-Simulation ausschlaggebend sind,
  • welcher Simulationsansatz zweckmäßigerweise verwendet wird,
  • wie ein Modell eingestellt und kalibriert wird, und
  • warum eine kombinierte Test- und Simulationsmethode eine präzisere Erstellung von digitalen Zwillingen ermöglicht.

Wir freuen uns über Ihr Interesse am Whitepaper! Mit nur einem Klick auf den Button können Sie sich das Whitepaper kostenfrei herunterladen. Interessante Einblicke wünscht Ihnen Ihr ELEKTRONIKPRAXIS-Team.

Anbieter des Whitepapers

Siemens Digital Industries Software

Am Kabellager 9
51063 Köln
Deutschland

Whitepaper Cover: Siemens

 

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