Datenprotokollierung 1-MBit-FRAM-Baustein mit I2C-Schnittstelle

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Mit dem FRAM MB85RC1MT stellt Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) einen 1-MBit I²C-Baustein mit der größten Speicherkapazität der Produktlinie für I2C vor. Er wird im SOP-8-Standardgehäuse angeboten, das pinkompatibel ist mit EEPROM- und Flash-Speichern. Hohe Lebensdauer und geringe Leistungsaufnahme qualifizieren das FRAM für die hochfrequente Messwerterfassung bei niedrigem Stromverbrauch – optimale Voraussetzungen für den Einsatz in der Automatisierungstechnik und Instrumentierung.

Der MB85RC1MT ist auf einen Betriebsspannungsbereich zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturen zwischen -40 und 85 °C ausgelegt. Die aktive Stromaufnahme beträgt max. 1,2 mA (bei 3,4 MHz). Unter Berücksichtigung des kurzen FRAM-Schreibzyklus ist das System energiesparender als EEPROM. Das FRAM unterstützt einen Highspeed-Modus mit Schreib-/Lesezyklen bei 3,4 MHz parallel zum 1-MHz-Betrieb – was der Geschwindigkeit herkömmlicher EEPROMs entspricht. In Data-Logging-Anwendungen mit I2C können so die EEPROMs durch das FRAM ersetzt werden.

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