Analogtipp Verlustarmen, automatischen Polwender mit minimalem Aufwand designen

Autor / Redakteur: Michael Franke * / Kristin Rinortner

Polwender werden in vielen Bereichen benötigt, einer davon ist Energy harvesting. Der Beitrag beschreibt die Realisierung mittels Schottky-Dioden, Bipolartransistoren und Leistungs-MOSFETs.

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Bild 3: Spannungs- und Stromverluste der unterschiedlichen Schaltungsvarianten
Bild 3: Spannungs- und Stromverluste der unterschiedlichen Schaltungsvarianten
(Bild: Mahlsdorf)

Beim „Energy harvesting“, dem Anzapfen kostenloser Umgebungsenergie zum autarken Betrieb von Sensoren und Ähnlichem, stehen häufig nur sehr kleine Spannungen von größenordnungsmäßig 1 V zur Verfügung, die von einem Aufwärtswandler noch auf gebräuchliche Werte von 3 oder 5 V konvertiert werden müssen.

Wenn zur Energiegewinnung eine mechanische Bewegung oder Temperaturdifferenz ausgenutzt wird, tritt oftmals erschwerend ein häufiger Richtungs- und damit Polaritätswechsel hinzu, wie es in Bild 1 beispielhaft für einen Thermoelektrischen Generator (TEG) dargestellt ist.

Bild 3: Spannungs- und Stromverluste der unterschiedlichen Schaltungsvarianten
Bild 3: Spannungs- und Stromverluste der unterschiedlichen Schaltungsvarianten
(Bild: Mahlsdorf)

Realisiert man den notwendigen Polwender mit einer Schottky-Graetzbrücke (Bild 1) aus vier Dioden des Typs 1N5817 (Fairchild), muss man einen Spannungsverlust von etwa 0,5 V hinnehmen, wie die gemessene Kurve im Diagramm in Bild 3 zeigt.

Werden anstelle der Dioden durchgesteuerte Kollektor-Emitter-Strecken von Bipolartransistoren verwendet (Bild 2a) und hierfür Typen mit hohem Beta und niedriger Uce,sat. wie die Transistoren ZTX1053 / ZTX792 (Zetex) eingesetzt, lässt sich die Spannungsdifferenz auf etwa 0,1 V senken.

Bild 2a: Schaltplan mit Bipolartransistoren mit durchgesteuerten Kollektor-Emitter-Strecken
Bild 2a: Schaltplan mit Bipolartransistoren mit durchgesteuerten Kollektor-Emitter-Strecken
(Bild: Mahlsdorf)

Dies ist in der Kurve „BPT“ in Bild 3 dargestellt. Nachteilig sind jedoch Verluste infolge der zur Durchsteuerung nötigen Basisströme der jeweils zwei aktiven Transistoren. Diese Ströme werden der eingangsseitigen Quelle entnommen, kommen aber dem Ausgang nicht zugute.

Bild 2b: Schaltungsbeispiel des Brückengleichrichters mit Leistungs-MOSFETs
Bild 2b: Schaltungsbeispiel des Brückengleichrichters mit Leistungs-MOSFETs
(Bild: Mahlsdorf)

Alternativ lassen sich Leistungs-MOSFETs einsetzen. Die hier erprobten Typen FDN339 (Fairchild) und IRF7425 (International Rectifier) zeichnen sich durch extrem niedrige Gate-Source-Schwellspannungen aus. Unter Ausnutzen der Leitfähigkeit durchgesteuerter Drain-Source-Kanäle für beide Polaritäten wurde die in Bild 2b dargestellte Brückengleichrichter-Minimalschaltung realisiert, die oberhalb von 1,2 V fast gar keinen Spannungsabfall mehr verursacht und infolge der praktisch leistungslosen Gate-Ansteuerung auch keine Stromverluste wie die BPT-Schaltung mit sich bringt.

Beide Anordnungen sind für Eingangsspannungen bis ±8 V einsetzbar. Sie können wegen der möglichen Rückwärts-Stromflussrichtung zwar nicht als Netzteil-Gleichrichter vor einem Lade-Elektrolykondensator verwendet werden, aber uneingeschränkt als automatischer Polwender mit minimalem Aufwand.

* * Michael Franke ... ist Inhaber der Elektronikmanufaktur Mahlsdorf.

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