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VDW Verein Deutscher Werkzeugmaschinenfabriken e.V.

21.02.2024

IGBT-Leistungsmodule im neu gestalteten INT-A-PAK-

IGBT-Leistungsmodule im neu gestalteten INT-A-PAK-Gehäuse verringern Leitungs- und Schaltverluste Auf IGBT-Technologie basierende Halbbrücken-Produkte bieten Auswahl zwischen niedriger VCE(ON) oder niedriger Eoff für Hochstrom-Wechselrichterstufen

Vishay Intertechnology stellt fünf neue Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodule im neu gestalteten INT-A-PAK-Gehäuse vor. Die Module VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N und VS-GT200TS065N basierend auf der Trench-IGBT-Technologie von Vishay. Sie ermöglichen Entwicklern die Auswahl zwischen zwei erstklassigen Technologien – niedrige VCE(ON) oder niedrige Eoff – zur Verringerung der Leitungs- oder Schaltverluste in Hochstrom-Wechselrichterstufen für Transport-, Energie- und Industrieanwendungen.

 

Die neuen Halbbrücken-Bauelemente kombinieren Trench-IGBTs - die im Vergleich zu anderen Produkten auf dem Markt eine verbesserte Energieeinsparung bieten - mit antiparallelen FRED Pt®-Dioden der Generation IV, die sich durch eine besonders sanfte Rückstrombegrenzung auszeichnen. Das kompakte INT-A-PAK-Gehäuse der Module hat eine neue Gate-Pin-Orientierung und ist jetzt zu 100 % kompatibel mit dem 34-mm-Industriestandardgehäuse, so dass ein mechanischer Drop-in-Austausch möglich ist.

 

Die IGBT-Leistungsmodule für den industriellen Einsatz finden Verwendung in Wechselrichtern für die Stromversorgung von Bahnanlagen, in Systemen zur Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, in Schweißgeräten, Motorantrieben und in der Robotik. Um die Leitungsverluste in Ausgangsstufen für WIG-Schweißmaschinen zu reduzieren, bieten die VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S und VS-GT200TS065S eine industrieweit niedrige Kollektor-Emitter-Spannung VCE(ON) ≤ 1,07 V bei +125 °C und Nennstrom. Für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen bieten der VS-GT100TS065N und der VS-GT200TS065N extrem niedrige Schaltverluste mit Eoff bis zu 1,0 mJ bei +125 °C und Nennstrom.

 

Zu den technischen Features dieser RoHS-konformen Module gehört eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V, ein kontinuierlicher Kollektorstrom von 100 A bis 200 A und ein sehr geringer thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse. Die nach UL E78996 zertifizierten Bauelemente können direkt auf Kühlkörpern montiert werden und bieten niedrige EMI, um die Anforderungen an die Dämpfung zu reduzieren.


Muster und Produktionsstückzahlen der neuen IGBT-Leistungsmodule sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 15 Wochen erhältlich.