Glaubt man den Prognosen der Branchenkenner, dann wird Siliziumkarbid (SiC) in Spannungsklassen bis über 10 kV vordringen und Galliumnitrid (GaN) ein enormes Marktpotenzial bis 1000 V erobern. Wenngleich Leistungshalbleiter auf Grundlage von SiC und GaN-on-Si inzwischen zahlreich verfügbar sind, ist ein Massenmarkt eher noch fern. Denn nur zögerlich trauen sich Entwickler, den besonderen Nutzen der Wide Bandgap Devices auszuloten.
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