Power-Tipps von TI, Teil 40 (Texas Instruments)
Power-Tipps von TI, Teil 40

Diskrete Bauelemente – eine gute Alternative zu integrierten MOSFETs

Bei der Konstruktion von Netzteilen stehen Ingenieure oft vor dem Problem, dass vom Steuerungs-IC nur ein begrenzter Strom verfügbar ist oder dass aufgrund von Gatetreiber-Verlusten zu viel Leistung verloren geht. Zur Lösung dieser Probleme werden häufig externe Treiber verwendet. Halbleiterhersteller (auch TI) bieten komplette MOSFET-Treiberlösungen in Form von integrierten Schaltungen an. Dies ist allerdings in vielen Fällen nicht der kosteneffektivste Ansatz. Oft genügen schon diskrete Komponenten im Wert von wenigen Cents.

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Gerd Kucera, Redakteur ELEKTRONIKPRAXIS: „Die gelungene Entwicklung ihrer ersten SBD mit Ga₂O₃ ermutigt die Forscher zu einer Markteinführung 2018.“ (VBM)
Angemerkt

Galliumoxid für Power Devices der nächsten Dekade

Glaubt man den Prognosen der Branchenkenner, dann wird Siliziumkarbid (SiC) in Spannungsklassen bis über 10 kV vordringen und Galliumnitrid (GaN) ein enormes Marktpotenzial bis 1000 V erobern. Wenngleich Leistungshalbleiter auf Grundlage von SiC und GaN-on-Si inzwischen zahlreich verfügbar sind, ist ein Massenmarkt eher noch fern. Denn nur zögerlich trauen sich Entwickler, den besonderen Nutzen der Wide Bandgap Devices auszuloten.

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