In der Raumfahrt sind Bauteile besonders anfällig für Strahlungseffekte wie Single-Event-Burnout (SEB) oder Single-Event-Gate-Rupture (SEGR). Durch die fehlende Atmosphäre ist die Strahlungsintensität deutlich höher. Galliumnitrid (GaN)-Technologie bietet bauartbedingt große Vorteile in Bezug auf Robustheit und Zuverlässigkeit.

Unser Experte Ralf Higgelke, der die Branche seit über 20 Jahren beobachtet, beleuchtet die Evolution von SiC und GaN. Er gewährt exklusive Einblicke in das Potenzial von monolithischem GaN sowie in die Chancen der UWBG-Materialien für die Zukunft.

60 Jahre Elektronikpraxis hinterlassen Spuren. Unser Archiv zeigt: Vieles kommt uns bekannt vor. Technologien erleben ein Comeback, Krisen folgen alten Mustern, und bewährtes Fachwissen bleibt relevant. In der Rubrik Damals wie heute schauen wir uns diese Parallelen an.

Mehr Leistung, weniger Platz – klassische DC-DC-Wandler stoßen dabei an ihre Grenzen. Eine 3-Level-Architektur reduziert Verluste und Hitze deutlich und ermöglicht Wirkungsgrade über 98 %. Damit wird hohe Leistungsdichte erstmals ohne thermische Kompromisse realistisch.

Das Forschungsinstitut imec hat ein neues Programm für GaN-Leistungselektronik ins Leben gerufen, um 300-mm-GaN-Epi-Wachstum sowie Prozessabläufe für GaN-Hochgeschwindigkeits-Transistoren (HEMT) für Nieder- und Hochspannung zu entwickeln. Erste Partner des Innovationsprogramms sind AIXTRON, Globalfoundries, KLA Corporation, Synopsys und Veeco.

Silizium stößt in der Leistungselektronik an physikalische Grenzen. Genau hier setzen Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) an. Schnellere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Leistungsdichte, kleinere Systeme. Doch welche Rolle spielt Europa in dieser Technologie?

Integrierte Wandlermodule bieten eine dreimal so hohe Leistungsdichte für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot, wie EV-Traktionswechselrichter und Stromversorgungen für Rechenzentren. Zudem punkten sie mit einer höheren Gleichtakt-Transientenstörfestigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen.

Hohe Leistungsdichten, Schaltfrequenzen und WBG-Halbleiter bringen Modularchitekturen an ihre Grenzen. Neue Gehäuse- und Integrationskonzepte sollen genau diese Zielkonflikte auflösen.

Nachhaltige Energieversorgung trifft auf smarte Sicherheit: Hybrid-Stringwechselrichter machen Photovoltaik-Anlagen effizienter und zuverlässiger. Mit intelligentem Energiemanagement sorgen sie dafür, dass Sonnenstrom auch nachts und bei Ausfällen verfügbar bleibt.

AMS Osram veräußert sein Geschäft mit CMOS-Bildsensoren (CIS) für 40 Millionen Euro an Indie Semiconductor. Der Verkauf ist Teil der im Februar 2026 angekündigten strategischen Neuausrichtung „Creating the Leader in Digital Photonics“.