Halbleiterhersteller Navitas teilt mit, für die Herstellung von GaN-Power-ICs künftig mit PSMC zu kooperieren. Der bisherige Partner TSMC hingegen plant, die GaN-Wafer-Herstellung einzustellen. Es heißt, dass die bestehende Infrastruktur für Advanced Packaging für KI-Tech genutzt werden soll.

Die Entscheidung von TSMC, sich aus dem GaN-Markt zurückzuziehen, sorgt in Asien für einige Aufregung in der Industrie. Nach dem anfänglichen Schock wird nun allmählich klar, welche Faktoren TSMC zu diesem Schritt veranlasst haben könnten.

Eine der größten Herausforderungen bei der Entwicklung von Stromversorgungen besteht darin, immer höhere Leistungen bei minimalen Verlusten und einer hohen Packungsdichte zu erzielen. Das TOLL-Gehäuse bringt einen GaN-Chip in einen gängigen Formfaktor. So reduziert sich der Aufwand für zusätzliche Beschaltungen und komplizierte Leiterplattenlayouts.

Space Forge verfolgt mit dem Satelliten Forgestar‑1 die Vision, im Orbit hochreine Kristallkeime zu züchten, die als Grundlage für die spätere Verarbeitung zu Einkristallen auf der Erde dienen. Nun meldet das Unternehmen einen ersten Erfolg: An Bord von ForgeStar‑1 wurde erstmals Plasma erzeugt.

Ein Jahr der Gegensätze liegt hinter uns. Technologische Durchbrüche gab es genauso, wie geopolitische Verwerfungen und wirtschaftliche Unsicherheiten. Doch es gibt keinen Grund, den Kopf in den Sand zu stecken. Welche Themen haben 2025 geprägt? Wir verraten es Ihnen!

Der Boom der künstlichen Intelligenz sorgt für Preisanstiege bei Leistungshalbleitern. Besonders deutlich ist dieser Trend derzeit in China zu beobachten, dem weltweit größten Verbrauchsmarkt für Chips aller Art.

Infineon startet in Sachen Galliumnitrid mit der ersten Transistorfamilie, die den Standard des Automotive Electronics Council (AEC) für Automobilanwendungen erfüllt, durch. Muster der CoolGaN-Transistoren für Hochvoltsysteme und bidirektionale Schalter werden bereits ausgeliefert.

Die Stromversorgung elektronischer Systeme steht seit einigen Jahren unter Druck. Einerseits steigen Anforderungen an Leistungsdichte, Wirkungsgrad und EMV-Verhalten. Andererseits nimmt die Zahl erfahrener analoger Entwickler ab. Neue Lösungen sind erforderlich.

Der zunehmende Leistungsbedarf moderner Rechenzentren insbesondere für KI-Anwendungen hat zur Folge, dass die zugehörigen Stromversorgungen immer größer, komplexer und ineffizienter werden. Traditionelle Hot-Swap-Controller mit diskreten FETs stoßen hier schnell an ihre Grenzen. Eine Alternative sind die 48 V Hot-Swap eFuse-Bausteine TPS1689 und TPS1685, die die Lösungsabmessungen um bis zu 50 Prozent reduzieren.

Power of Electronics zeigt den Weg der Elektronikentwicklung im interdisziplinären Austausch. Aus ursprünglich fünf eigenständigen Fachkonferenzen ist eine integrierte Plattform entstanden. Reichen Sie Ihr Thema ein und schreiben Sie am 29. und 30. September das nächste Kapitel.