Virtueller Prozessablauf für den Aufbau einer zweireihigen CFET-Architektur: Der mit 3D Coventor simulierte Prozessablauf ging von den Spezifikationen einer „virtuellen“ CFET-Fab aus und projizierte zukünftige Verarbeitungskapazitäten und Designspielräume (H. Kuekner et al., IEDM 2024). Die Detailansicht zeigt ein TEM eines monolithischen CFET-Technologie-Demonstrators, der in der 300-mm-Reinraum-F&E-Einrichtung von imec hergestellt wurde. (Bild: A. Vandooren et al., IEDM 2024)
Standardzellarchitektur

Zweireihige CFET-Technologie für den A7-Technologieknoten

Das belgische Forschungsinstitut imec hat eine neuartige Standardzellenarchitektur für die Halbleiterfertigung in einem 0,7nm-CMOS-A7-Prozess vorgestellt. Die CFET-Architektur, die aus zwei Reihen CFETs mit einer dazwischen liegenden gemeinsamen Leitung für die Signalführung besteht, verspricht die Vereinfachung des Prozesses und eine erhebliche Reduzierung der Logik- und SRAM-Zellenfläche.

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Der ROHM Messestand auf der PCIM Europe in Nürnberg bot neben dem neuen TRCDRIVE pack™ auch noch eine Vielzahl an SiC- und GaN-Produkten, sowie interessante Anwendungsbeispiele. (Bild: VCG – M. Richter)
Hohe Erwartungen an den SiC-Markt

ROHMs neues TRCDRIVE pack™ mit 2-in-1 SiC-Modulen verringert die Größe von xEV-Wechselrichtern

Nach wie vor sind umweltfreundliche Produkte sowie Energie- und Kosteneffizienz im Fokus der Leistungselektronik. Deshalb müssen Halbleiterhersteller neue Wege gehen. Nicht nur bessere Module müssen auf den Markt, sondern vor allem große Mengen, um etwa den Bedarf der Automobilindustrie zu decken. Auf der PCIM in Nürnberg stellte der japanische Halbleiterhersteller ROHM deshalb seine bemerkenswerte Siliziumkarbid-Strategie für die Zukunft vor.

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0121246842v2 (Bild: Rohm)
PWM-Controller-ICs

Für Industriestromversorgungen

Rohm hat externe FET-Controller-ICs mit PWM-Stromregelung entwickelt, die für die AC/DC-Stromversorgung in verschiedenen industriellen Anwendungen optimiert sind. Die Massenproduktion wurde bereits für vier Varianten zur Ansteuerung einer breiten Palette von Leistungshalbleitern gestartet: BD28C55FJ-LB für Niederspannungs-MOSFETs, BD28C54FJ-LB für Mittel- bis Hochspannungs-MOSFETs, BD28C57LFJ-LB für IGBTs und BD28C57HFJ-LB für SiC-MOSFETs.

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