Siliciumcarbid für Einsteiger und Umsteiger

Im Vergleich zu klassischen Si-MOSFETs haben SiC-MOSFETs eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören unter anderem ein höherer Wirkungsgrad und eine geringere Verlustleistung. Darüber hinaus sind die Schaltgeschwindigkeiten bis zu zehnmal höher als bei konventionellen Si-MOSFETs. Dies ermöglicht die Verwendung kleinerer Spulen und Kondensatoren.

Der Vorteil liegt auf der Hand: Entwickler können dadurch leichtere und kostengünstigere Systeme entwickeln.

SiC-Komponenten können das Volumen und Gewicht von Stromversorgungen um 30 bis 60 Prozent reduzieren. Dies ist in vielen Anwendungsbereichen ein wichtiger Faktor, wie z.B. bei Stromversorgungen für medizinische Systeme, Antriebstechnik und Komponenten für Elektro- und Hybridfahrzeuge.

Im Rahmen dieses Webinars erfahren Sie, welche Vorteile die Siliciumcarbid-Technologie besitzt und wie Sie am besten eine Entwicklung mit dieser Technologie starten können:

• Was ist der wesentliche Unterschied zwischen IGBT, Si-MOSFET und SiC-MOSFET in der Anwendung?

• Durch welche Eigenschaften hilft mir der Double-Pulse-Test (DPT) bei der Dimensionierung und Inbetriebnahme meiner Schaltung? Unterschiede zwischen Simulation mit z.B. LTspice oder Mindi und dem realen Aufbau.

• Kann bereits ein einfaches SiC-Trainingssystem die Einarbeitung in die SiC-Technologie wesentlich und nachhaltig beschleunigen?

• Messungen und Erkenntnisse mit dem Semitron DPT-SiC-Evaluierungs- und Trainingssystem.

• Einsatz von Snubbern zur Dämpfung von Überschwingern.

• Technische Ergänzungen zu den Messungen.

• Eine Übersicht über die besonderen Eigenschaften des SiC-Portfolio von Microchip.

Ihre Referenten

Klaus Gruppenbacher

Field Application Engineer
Semitron W. Röck GmbH

Bildquelle: Semitron W. Röck GmbH