SiGe-HBT: Bipolartransistoren für 6G

Kommunikationsanwendungen SiGe-HBT: Bipolartransistoren für 6G

13.09.2022 Von Kristin Rinortner

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X-FAB und das IHP haben eine Lizenzvereinbarung zur Nutzung der 130-nm-SiGe-BiCMOS-Plattform des Leibnitz-Instituts getroffen. Damit ist eine Großserienfertigung von High-End Bipolartransistoren für Kommunikationsanwendungen in Mobilfunk, V2V-Kommunikation und Industrie möglich.

SiGe-Bipolartransistoren: Lizenzvereinbarung zwischen X-FAB und IHP Leibniz-Institut führt zu innovativer 130-nm-SiGe-BiCMOS-Plattform.(Bild: © 2022 diephotodesigner.de schluchtmann ek) — SiGe-Bipolartransistoren: Lizenzvereinbarung zwischen X-FAB und IHP Leibniz-Institut führt zu innovativer 130-nm-SiGe-BiCMOS-Plattform.
(Bild: © 2022 diephotodesigner.de schluchtmann ek)

X-FAB Silicon Foundries baut die langjährigen Partnerschaft mit dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP; Institute for High Performance Microelectronics) aus: Im Rahmen einer neuen Vereinbarung lizenziert X-FAB die hochmoderne SiGe-Technologie des IHP. Damit stehen die Leistungsvorteile dieser Technologie auch für Kunden mit Großserienfertigung zur Verfügung.

Die neu geschaffene 130-nm-Plattform stärkt das Technologieportfolio von X-FAB und bietet eine Lösung, die die hohen Leistungsparameter erzielt, die für kommende Anforderungen im Bereich Kommunikationstechnik erforderlich sind. Beispiele für Anwendungen sind Wi-Fi 6 (und zukünftig Wi-Fi 7) Access Points (APs), kommende Mobilfunk-Infrastrukturen (insbesondere 5G mmWave und baldige 6G-Standards) und die Vehicle-to-Vehicle-/V2V-Kommunikation. Die Technologie wird auch für die Entwicklung von >100-GHz-Radarsystemen entscheidend sein, die sowohl in Fahrzeugen als auch in Konsumgüteranwendungen zum Einsatz kommen wird.

Diese Lizenzvereinbarung folgt auf die bereits 2021 begonnene Zusammenarbeit, als das Kupfer-Backend von X-FAB zu IHPs Frontend-Technologien SG13S und SG13G2 hinzugefügt wurde, um die Bandbreiten zu erhöhen. Im Zusammenhang mit der SiGe-Plattform wird X-FAB im vierten Quartal 2022 mit ausgewählten Erstanwendern Prototyping-Projekte durchführen. Ein Early-Access-PDK ermöglicht die Fertigung von Prototypen, während die Serienfertigung bei X-FAB France erfolgt, der Fertigungsstätte des Unternehmens in der Nähe von Paris.

Prof. Dr. Gerhard Kahmen, wissenschaftlicher Direktor des IHP, dazu: „Die Einbindung der HBTs (Heterojunction-Bipolar-Transistoren) von IHP in die HF-Plattform von X-FAB wird den Kunden eine differenzierte SiGe-BiCMOS-Technologie bieten, die weitere Leistungsvorteile mit sich bringt. Der Technologietransfer zwischen unseren beiden Organisationen ist ein gutes Beispiel, wie Industrie und Forschungseinrichtungen zusammenarbeiten, um hervorragende Ergebnisse zu erzielen.“

„X-FAB und IHP weisen eine Erfolgsbilanz bei der Kombination unserer jeweiligen Ressourcen vor, um fortschrittliche Halbleiterlösungen zu entwickeln“, so Dr. Greg U'Ren, RF Technology Director bei X-FAB. „Diese jüngste SiGe-Ankündigung läutet nun eine neue, spannende Phase ein und ist der Ausgangspunkt für weitere Neuerungen rund um SiGe BiCMOS, die dazu beitragen werden, den Kommunikationssektor in den kommenden Jahren zu definieren und Anwendungen in der Industrieautomation sowie für den Konsumgüter- und Automobilbereich abzudecken.“

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