-
Technologie
Aktuelle Beiträge aus "Technologie"
-
Hardwareentwicklung
- Digitale Bauelemente
- Analogtechnik
- Passive Bauelemente
- Elektromechanik
- Human-Machine-Interface
- LED & Optoelektronik
Aktuelle Beiträge aus "Hardwareentwicklung" -
KI & Intelligent Edge
Aktuelle Beiträge aus "KI & Intelligent Edge"
-
Embedded & IoT
Aktuelle Beiträge aus "Embedded & IoT"
-
Power-Design
- Leistungselektronik
- Power Management
- Power-Tipps
- Schaltungsschutz
- Stromversorgungen
- Lithium-Ionen-Akkus
Aktuelle Beiträge aus "Power-Design" -
FPGA & SoC
Aktuelle Beiträge aus "FPGA & SoC"
-
Fachthemen
- Elektrische Antriebstechnik
- Energieeffizienz
- Grundlagen der Elektronik
- Funktionale Sicherheit
- Leiterplatten-Design
- Security
- Design Notes
Aktuelle Beiträge aus "Fachthemen" -
Messen & Testen
Aktuelle Beiträge aus "Messen & Testen"
-
Branchen & Applications
- Consumerelektronik
- Industrie & Automatisierung
- Medizinelektronik
- Smart Home & Building
- Smart Mobility
- Elektromobilität
- Tele- und Datacom
Aktuelle Beiträge aus "Branchen & Applications" -
Elektronikfertigung
- 3D-Elektronik
- Electronic Manufacturing Services
- Halbleiterfertigung
- Leiterplatte & Baugruppe
- Mikro-/Nanotechnologie
Aktuelle Beiträge aus "Elektronikfertigung" -
Management & Märkte
- China
- Coronakrise
- Management & Führung
- Schweinezyklus
- Startup-Szene
- Recht
- Unternehmen
- Wirtschaft & Politik
Aktuelle Beiträge aus "Management & Märkte" -
Arbeitswelt
Aktuelle Beiträge aus "Arbeitswelt"
- Beschaffung & SCM
- Specials
- Service
-
mehr...
22.07.2021
ROHM erzielt mit hoher Gate-Durchbruchspannung von 8 V technologischen Durchbruch bei 150 V GaN HEMTs
Problemlösung der Gate-Durchbruchspannung von GaN-Bauelementen senkt Stromverbrauch und ermöglicht weitere Miniaturisierung von Stromversorgungen für Basisstationen und Rechenzentren
https://www.rohm.de/news-detail?news-title=rohm-erzielt-mit-hoher-gate-durchbruchspannung-von-8-v-technologischen-durchbruch-bei-150-v-gan-hemts&defaultGroupId=false