ROHM Semiconductor GmbH

Verbesserte Wärmeableitung und höhere Zuverlässigkeit

ROHM bietet unter der Bezeichnung RV8C010UN, RV8L002SN und BSS84X ultrakompakte MOSFETs in einem nur 1,0 mm x 1,0 mm großen DFN1010-Gehäuse an. Die gemäß AEC Q101 qualifizierten Bauelemente eignen sich ideal für Anwendungen mit hoher Bestückungsdichte wie ADAS und Kfz-Steuergeräte. Die MOSFETs zeichnen sich durch eine um ca. 85% reduzierte Montagefläche und bis zu 65% bessere Wärmeableitung gegenüber SOT-23-Gehäusen aus. Sie verfügen über Einschaltwiderstände von typ. 340 Milliohm bis 3,5 Ohm (@Vgs = 4,5 V) und Drain-Source-Spannungen von 20 V, 60 V und –60 V. Der Drain-Strom beträgt 1,0 A, 0,25 A bzw. –0,25 A. Die Steuerspannung ist mit 1,2 V, 2,5 V und –4,5 V spezifiziert. Zudem garantiert ROHMs Wettable-Flank-Technologie die für Fahrzeuganwendungen erforderliche Elektrodenhöhe von 125 μm. Die neuen Produkte befinden sich bereits in der Serienfertigung.