Leistungsmodul Reverse-Conducting-IGBT-Chiptechnologie

Das neue 3-A/600-V-IPM von Mitsubishi Electric basiert auf der innovativen RC-IGBT-Chiptechnologie (Reverse Conducting) und ist in einem Dual-Inline-Gehäuse der DIP-IPM-Baureihe 4

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Das neue 3-A/600-V-IPM von Mitsubishi Electric basiert auf der innovativen RC-IGBT-Chiptechnologie (Reverse Conducting) und ist in einem Dual-Inline-Gehäuse der DIP-IPM-Baureihe 4 untergebracht. Bei dieser neuen Technologie befinden sich der IGBT und seine zugehörige Freilaufdiode auf einem Chip, sodass dieses Leistungsmodul nur halb so viele Halbleiterchips aufweist wie konventionelle Module. Auf diese Weise erhöht sich sowohl die Zuverlässigkeit als auch die Leistungsdichte (Schaltleistung je Volumeneinheit) bei gleichen Gehäuseabmessungen.

Als erste Produkte der DIP-IPM-Baureihe 4 mit RC-IGBT-Chips stellt Mitsubishi die 3-A-Typen PS21961-A/C/W/S vor. Da die IPMs über integrierte Schutzfunktionen verfügen, werden Systementwürfe vereinfacht und kompakter. Gleichzeitig steigt die Zuverlässigkeit, die durch die verringerte Anzahl der Bondstellen im Modul zusätzlich gesteigert wird. Ein weiterer Vorteil: Die DIP-IPMs der Version 4 weisen eine vergrößerte Kriechstrecke zwischen den Anschlusspins auf.

Das RoHS-konforme IPM besteht aus den sechs RC-IGBTs (dreiphasige Inverterstruktur) und den Steuerungs-ICs zur Ansteuerung der einzelnen IGBTs. Diese ICs enthalten die IGBT-Treiber sowie die Elektronik zum Schutz vor Unterspannung, Kurzschluss und Übertemperatur. Zur Versorgung der IGBT-Treiber ist bei Bootstrap-Betrieb lediglich eine 15-V-Versorgungsspannung erforderlich. Alle Steuersignale sind 3- bzw. 5-V-logikkompatibel. Varianten mit offenem Emitter sind verfügbar.

Mitsubishi Electric, Tel. +49(0)2102 4864520

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