Temperatursensoren MEMS-IR-Sensor detektiert unbewegte Personen

Redakteur: Kristin Rinortner

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Omron Electronic Components stellt unter der Bezeichnung D6T einen berührungslosen, MEMS-basierten thermischen Sensor vor, der die Anwesenheit von Personen innerhalb eines Überwachungsbereichs zuverlässig erkennt, ohne dass diese sich bewegen müssen. Der Sensor ist eine Alternative zu pyroelektrischen Sensoren oder PIR-Meldern in der Heimautomation, Medizintechnik sowie in Sicherheits- und Industrie-Anwendungen.

Der hoch empfindliche Infrarot-Temperatursensor erkennt die Anwesenheit einer Person über die Körperwärme – eine zuverlässige Grundlage für das Ausschalten von Beleuchtungen, Klimaanlagen und anderen Vorrichtungen, wenn ein Raum leer ist. Herkömmliche Sensoren können oftmals nicht zwischen einem leeren Überwachungsbereich und einer ruhig stehenden Person unterscheiden. Diese Eigenschaft ist wichtig bei der Entwicklung von Medizintechniksystemen, die die Anwesenheit bettlägriger Patienten in einem Krankenzimmer erkennen sollen.

Da der Sensor die Temperatur eines Raums messen kann, eignet er sich auch zur Steuerung von Heizungswärme und Klimaanlagen für optimale Raumtemperaturen ohne Energieverschwendung. Außergewöhnliche Temperaturschwankungen können auch anderweitig genutzt werden, z.B. zur Detektion von Bandstillstand in Produktionslinien oder Hotspots, ehe ein Feuer ausbricht.

Während Standard-Thermofühler die Temperatur an einer einzigen Kontaktstelle messen, erfasst der MEMS-Sensor die Temperatur eines ganzen Bereichs berührungslos. Durch IR-Strahlung erzeugte Signale sind äußerst schwach. Die Technologie kombiniert eine MEMS-basierte Mikrospiegelstruktur für das effiziente Erkennen von Infrarotstrahlung mit einer leistungsstarken Siliziumlinse, um die IR-Strahlung auf die Thermosäulen zu richten. Proprietäre ASICs nehmen dann die notwendigen Berechnungen vor und wandeln die Sensorsignale für die digitalen I2C-Ausgänge um. Alle Komponenten wurden in-house entwickelt und werden in Omrons eigenen MEMS-Produktionsstätten hergestellt. Das Resultat ist eine hohe ±1,5°C Genauigkeit mit einer exzellenten Störfestigkeit (gemessen als rauschäquivalente Temperaturdifferenz) von 140 mK.

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