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Nichtflüchtiger Boot-Speicher Kommt mit 1,2 V aus: Neuer SPI-NOR-Flash-Speicher von Gigadevice

Von Michael Eckstein 2 min Lesedauer

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IBR Leiterplatten GmbH & Co. KG
Shanghai Yongming Electronic Co., Ltd.

Gigadevice hat einen seriellen NOR-Flash-Speicher vorgestellt, der mit nur 1,2 V Spannung und besonders wenig Strom beim Lesen von Daten auskommen soll. Über seine SPI-Schnittstelle lässt sich der Speicher direkt an moderne SoCs koppeln, was das Schaltungsdesign vereinfacht.

Die neuen NOR-Flash-Speicher der Serie GD25UF kommen mit nur 1,2 V Betriebsspannung aus und sollen zudem nur sehr wenig Strom aufnehmen.(Bild: Gigadevice)
Die neuen NOR-Flash-Speicher der Serie GD25UF kommen mit nur 1,2 V Betriebsspannung aus und sollen zudem nur sehr wenig Strom aufnehmen.
(Bild: Gigadevice)

Ohne NOR-Flash kommt kaum ein Embedded-System aus. Er dient etwa als Ablage für Firmware, Boot-Code und Startparameter. Bislang arbeiten NOR-Flash-Produkte meist mit 1,8 beziehungsweise 3 V Betriebsspannung. Gleichzeitig kommen aktuelle, mit modernen Prozessen gefertigte System-on-a-Chip-(SoC-)Bausteine, FPGAs und Anwendungsprozessoren mit immer geringeren Betriebsspannungen aus – die Core-Spannung liegt oft bei nur noch 1,2 V. Das bedeutet: Um NOR-Flash und SoC zu koppeln, ist ein zusätzlicher Spannungsregler erforderlich.

Der chinesische Chipentwickler Gigadevice, der neben seinen NOR-Flash-Bausteinen auch 32-Bit-Mikrocontroller designed, hat nun einen seriellen NOR-Flash-Speicher vorgestellt, der mit nur 1,2 V Spannung und besonders wenig Strom beim Lesen von Daten auskommen soll. Nach eigenen Angaben sind die Bausteine der Serie GD25UF für Anwendungen optimiert, bei denen ein äußerst niedriger Energieverbrauch oder ein geringer Platzbedarf gefordert wird.

Die GD25UF-Produkte arbeiten laut Gigadevice in einem Versorgungsspannungsbereich von 1,14 - 1,26 V. Dadurch lässt sich der Speicher direkt mit Komponenten koppeln, die mit einer Core-Spannung von 1,2 V arbeiten, da die Schaltung ohne zusätzlichen Spannungsregler auskommt. Somit ist eine direkte Verbindung zwischen den Ein- und Ausgängen des SoC oder des Prozessors und dem GD25UF-Baustein möglich.

Sehr geringe Stromaufnahme im Schlafzustand

Im Low-Power-Modus bei Frequenzen bis 50 MHz ist laut Gigadevice ein Active-Read-Strom von nur 0,4 mA bei niedrigeren Frequenzen möglich. Mit ihrem Strom von nur 0,1 µA im Deep-Power-Down ist die Serie GD25UF sehr gut geeignet für Batteriegeräte und Wearables. Außerdem tragen schnelle Programmier- und Löschzeiten zu einem höheren Durchsatz in der Produktion bei und verringern die Leistungsaufnahme der Systeme.

Im Fast-Read-Modus arbeiten diese Flash-Bausteine bei bis zu 120 MHz und erreichen dabei Datentransferraten bis 480 MBit/s. Im Low-EMI-Modus beim Betrieb mit 60 MHz über eine Vierfach-I/O-Schnittstelle mit doppelter Transferrate (DTR) erreichen die GD25UF-Produkte die gleiche Datentransferrate von 480 MBit/s bei geringsten Störsignalen durch die Taktfrequenz. Das sei besonders bei störempfindlichen drahtlosen Anwendungen ideal, erklärt Gigadevice.

Das 64 MBit GD25UF64E ist bereits in der Produktion. Es wird in den Bauformen SOP8, 3 x 4 mm oder 4 x 4 mm USON8 und WLCSP oder als Known-Good-Die geliefert. Die 128-Mbit-Version GD25UF128E ist als Muster verfügbar. Produkte mit Speicherkapazitäten von 32 MBit und 256 MBit sind in der Entwicklung. (me)

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