Nichtflüchtiger Speicher Infineon bringt neue Ferroelectric-RAM-Chips auf den Markt

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Sind viele Schreib-Lese-Zyklen und hohes Schreibtempo gefordert, muss Flash als nichtflüchtiger Speicher passen. Eine Alternative ist F-RAM. Infineon erweiert seine Excelon-Baureihe um Chips mit 8 und 16 MBit.

Infineon Technologies bringt neue F-RAM-Speicher (Ferroelectric RAM) mit 8- und 16-MBit auf den Markt. Die mit der Übernahme von Cypress Semiconductor in das Portfolio des Neubiberger Unternehmens gelangten Excelon-Produkte sind unter anderem für die Datenerfassung etwa in Fahrzeugen oder Industriesystemen vorgesehen – zum Beispiel um kritische Ereignisse mithilfe von Blackbox-Systemen zu dokumentieren. Nach Angaben Infineons tragen sie damit „zur Vermeidung von Datenverlusten in rauen Betriebsumgebungen bei“.

EXCELON F-RAM-Speicher mit der branchenweit höchsten Dichte auf den Markt. Die 8- und 16-Mbit-EXCELON F-RAM-Speicher erfüllen die Anforderungen an die permanente Datenerfassung der nächsten Generation von Automotive- und Industriesystemen. Sie tragen damit zur Vermeidung von Datenverlusten in rauen Betriebsumgebungen bei. Die im 24-Ball-FBGA-Gehäuse verfügbaren neuen Speicher sollen einen weiten Spannungsbereich von 1,71 V bis 3,6 V und einen Datendurchsatz von bis zu 54 MBit/s über eine Schnittstelle mit geringer Pin-Zahl unterstützen.

Daten permanent erfassen

„Mit der zunehmenden Automatisierung und der rasanten Entwicklung vernetzter Sensoren steigen die Anforderungen an die Datenerfassung und damit der Bedarf an Speichern mit höherer Dichte, die bei einem Stromausfall zuverlässig und unverzüglich Daten permanent erfassen“, sagt Ramesh Chettuvetty, Leiter der RAM-Produktlinie in der Automotive Division von Infineon. „Unsere neuen EXCELON F-RAM-Produkte sorgen für hervorragend Leistung und Zuverlässigkeit in kritischen Datenerfassungsapplikationen, ohne Abstriche beim Ultra-Low-Power-Betrieb.“

Infineon zählt sein Excelon F-RAM zur „nächsten Generation der ferroelektrischen RAM-Speicher“. Die neuen Produkte würden den branchenweit energieeffizientesten permanenten Speicher für kritische Anwendungen bereitstellen, indem sie Ultra-Low-Power-Betrieb mit Hochgeschwindigkeitsschnittstellen, sofortiger Nichtflüchtigkeit und unbegrenzter Lese-/Schreibzyklusausdauer kombinieren.

Nach Angaben des Unternehmens entspricht die Lese- und Schreibleistung der seriellen Speicher der von batteriegepufferten statischen S-RAMs mit paralleler Schnittstelle und 35 ns Zugriffszeit. Mit „den hohen Schreibgeschwindigkeiten, der ausgezeichneten Lebensdauer und der branchenführenden Energieeffizienz“ sei Excelon F-RAM der ideale Speicher für die Datenaufzeichnung bei Automotive-, Industrie- und Medizinanwendungen.

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Billionen von Schreib-Lese-Zyklen möglich

Mit den neuen Varianten hat Infineon nun F-RAM-Produkte mit Speicherdichten von 4 KBit bis 16 MBit im Portfolio. Die seriellen oder parallelen Schnittstellen ausgestatteten Bausteine arbeiten mit Betriebsspannungen zwischen 1,8 und 5,5 V. Gegenüber nichtflüchtigen Flash-Speichern kann F-RAM im anvisierten Einsatzgebiet wichtige Vorteile verbuchen: Die Schreibvorgänge erfolgen sehr schnell, und der Baustein verschleißt praktisch nicht. F-RAM halten hundert Billionen Lese- und Schreibzyklen aus, was in technischen Anwendungen praktisch einer unbegrenzten Lebensdauer gleichkommt und die Chips für schreibintensive Anwendungen prädestiniert.

Laut Infineon sind die Excelon-Bausteine für Betriebstemperaturen von bis zu 105°C spezifiziert. Die AEC-Q100-qualifizierten, Automotive-grade 3 16-Mbit-Bauteile können ab sofort bestellt werden. (me)

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