Günstiger als FRAM, einfacher als Serial Flash und Dataflash

Nichtflüchtige Speicher Günstiger als FRAM, einfacher als Serial Flash und Dataflash

23.06.2022 Von Kristin Rinortner

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STMicroelectronics Design and Aplication GmbH

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Bicker Elektronik GmbH

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STMicroelectronics hat mit dem Serial Page EEPROM einen Durchbruch auf dem Gebiet der nichtflüchtigen Speicher erzielt: Die Lösung ist billiger und stromsparender als FRAM sowie funktionaler und einfacher zu implementieren als Serial Flash und Dataflash.

Neue Generation EEPROMs: Die nichtflüchtigen Speicher der Reihe Serial Page sind günstiger als FRAMs und flexibler einzusetzen als Serial Flash und Dataflash.(Bild: ST) — Neue Generation EEPROMs: Die nichtflüchtigen Speicher der Reihe Serial Page sind günstiger als FRAMs und flexibler einzusetzen als Serial Flash und Dataflash.
(Bild: ST)

Auf Basis der seriellen EEPROM-Technologie hat STMicroelectronics mit dem M95P32 das eigenen Angaben zufolge marktweit erste Serial Page EEPROM vorgestellt. Bei dieser neuen Art von EEPROMs handelt es sich um einen seitenweise löschbaren SPI-Speicher hoher Dichte, der sich durch eine bisher unerreichte Flexibilität und Leistungsfähigkeit bei äußerst niedrigem Stromverbrauch auszeichnen soll.

Im Anschluss an den M95P32 mit einer Speicherkapazität von 32 MBit will ST die Familie seiner neuen Serial Page EEPROMs durch weitere Versionen mit 16 MBit und 8 MBit erweitern.

Die Architektur der neuen Bausteine gibt Entwicklern die Möglichkeit, Firmware-Management und flexible Datenspeicherung in ein und demselben Bauelement zu vereinen, was eine bisher nicht verfügbare Kombination darstellt.

Diese gesteigerte Speicherintegration verringert den Bauteileaufwand und verkürzt die Markteinführungszeit, verbessert dafür den Nutzen der finalen Applikation und ermöglicht die Realisierung kleinerer Module mit äußerst geringem Stromverbrauch und dementsprechend längerer Batterielebensdauer.

EEPROMS für IIoT, Wearables und 5G-LWL

Die Bauelemente eignen sich für die Implementierung nichtflüchtiger Allzweck-Speicher in neuen Systemdesigns für Anwendungen wie etwa industrielle IoT-Module, Wearables, Healthcare, Medizintechnik, elektronische Regalplatz-Etiketten, Smart Meter und 5G-Lichtwellenleiter-Module.

Als echte Neuentwicklung kombinieren Serial Page EEPROMs die patentierte, auf 40-nm-Strukturen basierende nichtflüchtige Speicherzellentechnologie e-STM mit einer neuen, intelligenten Seitenarchitektur. Hierdurch werden die Vorteile einer hohen Speicherdichte für Firmware mit Byte-Flexibilität und hohen Endurance-Werten für eine einfache Datenaufzeichnung verbunden.

Zusätzlich zeichnen sich die neuen Speicher laut Hersteller durch kurze Lese-, Lösch- und Programmierzyklen aus, was zügige Up- und Downloads gewährleistet und damit für niedrigere Herstellungskosten und kürzere Stillstandszeiten der Anwendungen sorgt. Schnelles Hochfahren und die Quad-Output-Read-Funktion machen außerdem ein schnelleres Aktivieren der finalen Applikation möglich.

Diese vereinfachte Speicherintegration ebne den Weg für eine Senkung der Gesamt-Betriebskosten und sorge für Benutzerfreundlichkeit, einfache Softwareentwicklung und hohe Zuverlässigkeit, so ST.

Fazit: Mit den Serial Page EEPROMs steht ein nichtflüchtiger Speicher zur Verfügung, der kostengünstiger ist als FRAM und weniger Strom verbraucht, während er gleichzeitig mehr Funktionen bietet und einfacher anzuwenden ist als Serial-Flash- bzw. Dataflash-Produkte.

Die nichtflüchtigen Speicher werden in den Gehäusebauformen SO8N, DFN8 und WLCSP8 angeboten.

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