IGBTs Dual-IGBT-Module mit höherer Stromdichte

Mitsubishis MPD-(Mega-Power-Dual-)IGBT-Module für die Einsatzbereiche 900 A/1200 V, 1400 A/1200 V und 1000 A/1700 V in CSTBT-Chiptechnologie eignen sich besonders für Hochleistungs-USVs,

Anbieter zum Thema

EBV Elektronik GmbH & Co. KG

congatec GmbH

RECOM Power GmbH

Mitsubishi Electric Europe B.V. Factory Automation

Mitsubishis MPD-(Mega-Power-Dual-)IGBT-Module für die Einsatzbereiche 900 A/1200 V, 1400 A/1200 V und 1000 A/1700 V in CSTBT-Chiptechnologie eignen sich besonders für Hochleistungs-USVs, Windkraftgeneratoren sowie Motorantriebe größerer Leistung. Infolge ihrer hohen Nennleistung lässt sich bei Einsatz eines einzigen MPD-Moduls beispielsweise in Hochleistungsumrichtern die Parallelschaltung mehrerer kleinerer Module vermeiden. Aufgrund ihres Aufbaus eignen sich die MPD-Module besonders für wassergekühlte Systeme. Im Vergleich zu herkömmlichen IGBT-Modulen bietet das MPD-Modul eine Reihe zusätzlicher, konstruktionsbedingt anwenderfreundlicher Merkmale, z.B. einen vereinfachten Anschluss an DC-Bus-Bars oder die optimale Anordnung des DC-Eingangs und des AC-Ausgangs auf gegenüberliegenden Seiten. Hervorzuheben ist außerdem eine hohe Kurzschlussfestigkeit, indem der Baustein seinen Betrieb in einem vorgegebenen SCSOA-Bereich (Short Circuit Safe Operating Area) aufrechterhält. Eine verbesserte, von Mitsubishi entwickelte Technologie mit laminierter Busschiene verringert die interne parasitäre Induktivität erfolgreich auf ungefähr 16 nH. Das wirkt sich positiv sowohl auf reduzierte Überspannungsspitzen als auch auf die Anzahl und folglich die Kosten der Snubber-Kondensatoren aus.

Mitsubishi Electric, Tel. +49(0)2102 4864520

(ID:186039)