Die besten MOSFETs für kritische Automotive-Anwendungen

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ROHM Semiconductor GmbH

MOSFETs mit verbesserten dynamischen Eigenschaften

Beim Schalten sind elektromagnetische Störungen (EMI) ein weiterer wichtiger Bereich, dem Aufmerksamkeit zu widmen ist. Bild 5 zeigt zwei Testergebnis-Diagramme von MOSFETs beim Abschalten, die zeigen, dass die Schwingungszeit des TK100S04N1L, der auf dem UMOS8-Halbleiterprozess basiert, nur halb so lang ist wie beim TK80S04K3L, der von einem älteren UMOS4-Prozess ist. Die verbesserten dynamischen Eigenschaften von UMOS8 führen zu erheblich weniger Rauschen (Schwingungen).

Nutzung von p-Kanal-MOSFETs

Toshiba verfügt über ein umfassendes Portfolio an p-Kanal MOSFETs, die oft für Batterie-Verpolschutz oder als High-Side-Schalter von Halb-/H-/B6-Brückenschaltungen eingesetzt werden. Da keine Ladepumpe, die eine Störquelle darstellen kann, für den Betrieb eines p-Kanal MOSFETs benötigt wird, ist die Gate-Treiber-Schaltung technich einfach zu realisieren und bietet einen recht guten Systemkostenvorteil.

Zusammenfassung

MOSFETs sind kritische Komponenten in modernen Automotive-Designs, da sie in hochentwickelten Fahrzeugen bei vielen Anwendungen der Leistungselektronik zum Einsatz kommen. Ihre zunehmende Wichtigkeit lässt auch die Ansprüche der Designer steigen, die mit verschärften Automotive-Anforderungen konfrontiert sind.

Glücklicherweise gehören zu den jüngsten Innovationen von Toshiba auch das neuartige Kupferklemmenkonzept und Verbesserungen auf Wafer-Ebene. Diese sorgen weiterhin für marktführende R_DS(ON)-Werte und ermöglichen so höhere Leistungen, die Designer heute benötigen.

* Georges Tchouangue ist Chief Engineer Discrete Marketing,

* Eiji Shimada ist Senior Manager Automotive Business Unit, beide bei Toshiba Electronics Europe.

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