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Leistungsmodule Infineon erweitert 62-mm-Portfolio um 1200 V IGBT7

Von Kristin Rinortner 1 min Lesedauer

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Infineon Technologies AG
Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG
FAULHABER Antriebssysteme
Heitec AG

Die mit der neuen Micro-Pattern-Trench-Technik gefertigten 62-mm-Leistungsmodule mit dem 1200 V TRENCHSTOP IGBT7-Chip weisen deutlich geringere statische Verluste auf. Das führt insbesondere in industriellen Antrieben zu deutlich weniger Verlusten.

62-mm-Leistungsmodule: Das Portfolio ist auf die Anforderungen von Solar-Zentralwechselrichtern sowie von industriellen Antriebsanwendungen und USV zugeschnitten. Auch das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme können damit abgedeckt werden.(Bild: Infineon)
62-mm-Leistungsmodule: Das Portfolio ist auf die Anforderungen von Solar-Zentralwechselrichtern sowie von industriellen Antriebsanwendungen und USV zugeschnitten. Auch das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme können damit abgedeckt werden.
(Bild: Infineon)

Infineon Technologies erweitert das Portfolio mit 62-mm-Gehäuse durch das Halbbrücken- und Common-Emitter-Modulportfolio, das TRENCHSTOP IGBT7-Chips (1200 V) nutzt. Der Nennstrom liegt bei 800 A. Die höhere Stromklasse bietet Systementwicklern laut Hersteller ein hohes Maß an Flexibilität beim Design von Lösungen mit höherer Stromstärke bei gleichzeitig höherer Leistungsdichte und elektrischer Leistung.

Das Portfolio ist auf die Anforderungen von Solar-Zentralwechselrichtern sowie von industriellen Antriebsanwendungen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) zugeschnitten. Auch das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme (ESS) sowie andere neue industrielle Anwendungen können damit abgedeckt werden.

Durch die Fertigung mit der Micro-Pattern-Trench-Technik weist die Modulfamilie mit dem IGBT7-Chip deutlich geringere statische Verluste auf als die Module mit IGBT4-Chipsatz. Insbesondere in industriellen Antrieben, die in der Regel mit moderaten Schaltfrequenzen arbeiten, führt das zu einer deutlichen Reduzierung der Verluste. Außerdem wurden das Schwingungsverhalten und die Regelbarkeit des IGBTs verbessert. Darüber hinaus weisen die Leistungsmodule eine maximale Überlast-Sperrschichttemperatur von 175°C auf, so Infineon.

Die hohe mechanische Robustheit Modulgehäuses wird durch eine massive, vernickelte Kupfergrundplatte und Schraub-Hauptanschlüsse erzielt. Die in der Mitte des Gehäuses platzierten Hauptanschlüsse eignen sich aufgrund der niederinduktiven Zwischenkreisverbindung gut für Parallelschaltungen und 3-Level-Konfigurationen.

Das unveränderte Standard-Gehäuse und die gleichbleibenden Abmessungen innerhalb der Modulfamilie unterstützen die mechanische Kompatibilität mit der vorherigen Modulversion. Die Modulfamilie erweitert mit der 800-A-Variante den Leistungsbereich bei gleicher Gehäusegröße. Darüber hinaus sind alle Module mit bereits appliziertem TIM (Thermal Interface Material) erhältlich.(kr)

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