5 Wege, wie SiC-JFETs die Schutzsysteme neu definieren

Klassische Trennschalter sind zu langsam für moderne Anforderungen. Erfahren Sie, wie Siliziumkarbid-JFETs Schutzsysteme auf ein neues Level heben, und zwar mit ultraschneller Fehlerreaktion, intelligentem Schutz und nahtloser Integration.

Während mechanische Trennschalter Millisekunden benötigen, reagieren SiC-JFETs im Mikrosekundenbereich. Das ermöglicht völlig neue Ansätze für Leistungsschutzschalter, um: schnellere Unterbrechungen von Fehlerströmen, höhere Systemzuverlässigkeit und kompaktere Designs zu realisieren. Gleichzeitig lassen sich SiC-basierte Architekturen reibungslos in bestehende Infrastrukturen einfügen.

Das Webinar zeigt praxisnahe Beispiele, wie Entwickler von kürzeren Entwicklungszeiten, effizienteren Designs und lizenzfreien Onsemi-Tools profitieren können.

In unserem Webinar erfahren Sie:

Wie man mit SiC eine Überstromstörung im Mikrosekundenbereich sicher unterbricht
Vorteile von JFETs gegenüber MOSFETs im SSCB-Leistungsschutzschalter
Wie man Leitungsverluste in kompakten Designs reduziert
Praxisbeispiele für Systemarchitekturen mit SiC in Leitungsschutzsystemen
Wie man mit lizenzfreien Onsemi-Tools und Evaluationboards die Entwicklungszeit verkürzt

Ihr Referent

Paul Klausner

Marketing Automotive Power Solutions EMEA
ON Semiconductor Germany GmbH

Bildquelle: ON Semiconductor Germany GmbH

Smarter Schutz durch schnelle Reaktion