Halbleiterfertigung 28-nm-FD-SOI-Technologie von STMicroelectronics aus Crolles

Die 28-nm-FD-Silicon-on-Insulator-Technologieplattform von ST befindet sich in der Vorproduktion der 300-mm-Fertigungsstätte (Fab) des Unternehmens im französischen Crolles.

Damit ist eine Fully-Depleted-Planartechnologie in 28 nm möglich. Dies ist notwendig, um die Nachfrage des Markts nach Embedded-Prozessoren zu erfüllen, die in Multimedia-Produkten und tragbaren Anwendungen ohne Abstriche bei der Batterielebensdauer hohe Grafik- und Multimedia-Funktionalität und schnelle Breitband-Anbindung bieten können. Die FD-SOI-Technologieplattform umfasst eine vollständig ausgearbeitete und an realen Halbleiterbausteinen verifizierte Designplattform mit sämtlichen Basis-Bibliotheken (Standardzellen, Speichergeneratoren, I/Os, AMS-IPs und High-Speed-Interfaces) sowie einen Design-Flow für die Entwicklung schneller, energieeffizienter Bauelemente. Die FD-SOI-Technologie von ST wurde bereits von ST-Ericsson für den Einsatz in seinen künftigen Mobil-Plattformen ausgewählt.

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