Power-MOSFET Diode integriert und doppelseitig gekühlt

Redakteur: Gerd Kucera

Vishay Intertechnology offeriert eine monolithisch integrierte 30-V-Power-MOSFET/Schottky-Dioden-Kombination in einem Gehäuse, das sowohl über die Ober- als auch die Unterseite Wärme

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Vishay Intertechnology offeriert eine monolithisch integrierte 30-V-Power-MOSFET/Schottky-Dioden-Kombination in einem Gehäuse, das sowohl über die Ober- als auch die Unterseite Wärme ableitet. Das neue Bauteil bietet optimales Leistungsverhalten in Systemen mit erzwungener Luftkühlung. Die Bauelement namens SkyFET SiE726DF im PolarPAK-Gehäuse mit doppelseitiger Kühlung ermöglicht in Hochstrom- und Hochfrequenzanwendungen höhere Wirkungsgrade. Der Chip ist zum Einsatz als Low-Side-Schalter in Synchrongleichrichtern für Hochstrom-DC/DC-Wandler, VRM-Anwendungen, Grafikkarten und Point-of-load-Stromversorgungen in Servern und Telekomsystemen optimiert. Der On-Widerstand ist maximal 2,4 mO bei 10V Gate-Spannung (maximal 3,3 mO bei 4,5V) und hat eine um 50% höhere Strombelastbarkeit als vergleichbare Bauteile im SO-8-Gehäuse gleicher Größe ohne Kühlkörper. Das Bauteil bietet eine typische Gate-Ladung von 50 nC und ein niedriges Qgd/Qgs-Verhältnis; dies verringert das Risiko des gleichzeitigen Durchschaltens beider Schalter eines Synchrongleichrichters (Shoot-through). Die Qrr- und VSD-Werte sind mit 30 nC bzw. 0,37 V nicht einmal halb so groß wie bei einem Standard-MOSFET. Dadurch verringern sich die Parasitäreffekte und die Leistungsverluste durch die Body-Diode des MOSFETs; das Ergebnis ist ein höherer Wirkungsgrad.

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