Power-MOSFET Auf der Oberseite isoliert

Redakteur: Gerd Kucera

Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET im MICRO FOOT-Chipscale-Gehäuse, Si8422DB, ist auf der Oberseite isoliert und zum Einsatz in Leistungsverstärker-, Batterie- und Lastschalter-Anwendungen

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Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET im MICRO FOOT-Chipscale-Gehäuse, Si8422DB, ist auf der Oberseite isoliert und zum Einsatz in Leistungsverstärker-, Batterie- und Lastschalter-Anwendungen von tragbaren Geräten optimiert. Die 2 mil starke Isolationsschicht auf der Oberseite des Gehäuses verhindert termporäre Kurzschlüsse vom oberen Teil des MICRO-FOOT-Gehäuse zu beweglichen Teilen in tragbaren Geräten.

Durch diese Isolation ist der Einsatz des Bauteils in Anwendungen möglich, die eine sehr flache Bauweise erfordern und der MOSFET direkt unter anderen Bauteilen wie Abschirmungen, Tasten oder Touch-Screens verbaut werden soll. Der 20-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET Si8422DB hat eine Grundfläche von 1,55 mm x 1,55 mm und eine Bauhöhe von 0,64 mm.

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