Samsung 6 Gb LPDDR3 Mobile DRAMs in 20 nm-Technologie gehen in Massenproduktion

Samsung hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten 6 Gb (Gigabit) Low-Power Double Data Rate 3 (LPDDR3) Mobile DRAM in 20 Nanometer (nm) Prozesstechnologie begonnen.

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Beim Einsatz des hocheffizienten Mobile Memory Chips in Mobilgeräten mit größeren Displays lassen sich die Batterielaufzeit verlängern und Anwendungen schneller als bisher laden.

"Unser 6Gb LPDDR3 DRAM in 20 nm-Technologie repräsentiert die fortschrittlichste Mobile-Memory-Lösung für den rasch wachsenden Markt leistungsstarker Mobile DRAMs," sagt Jeeho Baek, Vice President, Memory Marketing, Samsung Electronics.

Für Samsungs 6 Gb LPDDR3 ist eine Pro-Pin Datenübertragungsrate von bis zu 2.133 Mbit/s spezifiziert. Ein 3 GB (gigabyte) LPDDR3 Package mit vier 6 Gb LPDDR3 Chips soll auf einfache Weise für den Einsatz in einem breiten Spektrum an Mobilgeräten realisiert werden können.

Das neue 3 GB Package ist gegenüber dem derzeit verfügbaren 3 GB Package mit 6 Gb LPDDR3 Chips, gefertigt in Samsung bisheriger Prozesstechnologie, über 20 Prozent kleiner und verbraucht etwa zehn Prozent weniger Energie. Dies resultiert in einem Mobile Memory, das kleiner, dünner, schneller und wesentlich leistungseffizienter sein soll.

Mit dem neuen 20-Nanometer-Prozess will Samsung, verglichen mit dem bisherigen Prozess, auch einen Produktivitätsgewinn von über 30 Prozent erzielen. Samsung hat seine 20 nm-Technologie erstmals in der Branche im März für 4 Gb DDR3 für PCs eingesetzt. Nun hat das Unternehmen den Einsatz dieser Technologie auf seine Mobile DRAMs ausgedehnt.

In Zukunft möchte Samsung noch innovativere 20 nm Mobile DRAM Produkte vorstellen, um sein Angebot weiter zu stärken und seine führende Rolle im Bereich High-Density Mobile DRAMs beizubehalten, während sich der Markt um Smartphones mit noch mehr Funktionen, High-End Tablets und "Wearables" erweitert.

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