Leistungs-MOSFETs 0,052 bis 0,066 Ohm On-Widerstand

Redakteur: Gerd Kucera

Vishay Siliconix präsentiert eine neue Familie von p-Kanal-Leistungs-MOSFETs im PowerPAK-SC-75-Gehäuse. Die neuen Typen haben Sperrspannungen zwischen 8 und 30V und sind die weltweit

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Vishay Siliconix präsentiert eine neue Familie von p-Kanal-Leistungs-MOSFETs im PowerPAK-SC-75-Gehäuse. Die neuen Typen haben Sperrspannungen zwischen 8 und 30V und sind die weltweit ersten Leistungs-MOSFETs mit solchen Sperrspannungen in diesem Gehäuse. Die Bauteilfamilie umfasst u.a. den ersten -12-V-und den ersten -30-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET im PowerPAK-SC-75-Gehäuse (SiB419DK bzw. SiB415DK). Der kürzlich vorgestellte SiB417DK ist der erste -8-V-Leistungs-MOSFET dieser Art und wurde nun durch die ESD-geschützte Version SiB417EDK (-8V) ergänzt. Der On-Widerstand ist für beide 8-V-Typen bis hinab zu VGS=1,2 V spezifiziert.

Das ermöglicht es Entwicklern, einen Pegelumsetzer einzusparen; dadurch verringern sich der Platzbedarf, die Leistungsaufnahme und die Kosten der Gesamtlösung. Die neue Produktfamilie umfasst außerdem zwei -20-V-Typen: SiB411DK (Einkanal) und SiB911DK (Zweikanal). Der On-Widerstand der Einkanaltypen liegt zwischen 0,052 Ohm und 0,066 Ohm bei 4,5 V Gate-Spannung. Die Leistungs-MOSFETs im PowerPAK-SC-75-Gehäuse von Vishay Siliconix sind 1,6mm x 1,6mm x 0,75mm groß und haben damit die gleichen Abmessungen wie Bauteile im SC-75-Gehäuse. Aufgrund einer besonderen Konstruktion kann bei gleichem Footprint ein größerer Chip verbaut werden, der einen wesentlich geringeren On-Widerstand hat. Typische Anwendungen sind Lastschalter in Mobiltelefonen, PDAs, Digitalkameras, MP3-Playern und Smart-Phones.

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